Diclib.com
Dicionário ChatGPT

Pesquisa de dicionário Soluções personalizadas

Digite uma palavra ou frase em qualquer idioma 👆

Idioma:

Tradução e análise de palavras por inteligência artificial ChatGPT

Nesta página você pode obter uma análise detalhada de uma palavra ou frase, produzida usando a melhor tecnologia de inteligência artificial até o momento:

como a palavra é usada
frequência de uso
é usado com mais frequência na fala oral ou escrita
opções de tradução de palavras
exemplos de uso (várias frases com tradução)
etimologia

O que (quem) é Лавинно-пролётный полупроводниковый диод - definição

Лавинно-пролетный диод

Лавинно-пролётный полупроводниковый диод

(ЛПД)

полупроводниковый прибор с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление), возникающим из-за сдвига фаз между током и напряжением на выводах прибора вследствие инерционных свойств лавинного умножения носителей заряда и конечного времени их пролёта в области р-n-перехода. Лавинное умножение в р-n-переходе вызвано ударной ионизацией (См. Ионизация) атомов носителями заряда. В отличие от др. приборов этого класса (туннельных диодов (См. Туннельный диод), Тиристоров, Ганна диодов), отрицательное сопротивление ЛПД проявляется только на СВЧ. Идея создания ЛПД впервые высказана американским физиком В. Ридом в 1958. Экспериментально генерация колебаний с помощью ЛПД впервые наблюдалась в СССР в 1959 группой сотрудников под рук. А. С. Тагера.

ЛПД применяются для генерирования колебаний в диапазоне частот от 1 до 300 Ггц. Мощность колебаний составляет единицы вт (при кпд Лавинно-пролётный полупроводниковый диод 10\%). В 1967 был открыт режим работы ЛПД, при котором электрические колебания возникают сразу на 2 частотах: частоте f₀, характерной для обычного режима, и её субгармонике f₀/f_n, где n > 3. Этот режим отличается высокими значениями кпд (до 60\% ) и высокими уровнями отдаваемой на субгармониках мощности (до нескольких сотен вт).

Для получения ЛПД могут быть использованы структуры типа p⁺-n-i-n⁺ (диод Рида), p-i-n, р-n, р⁺-n и р-n⁺, образуемые диффузией примесей, ионной имплантацией, эпитаксиальным наращиванием, напылением в вакууме с образованием барьера Шотки (см. Полупроводниковая электроника). При изготовлении их применяют Полупроводниковые материалы с высокой дрейфовой скоростью носителей заряда и большой шириной запрещенной зоны (GaAs, Si, Ge).

Лит.: Тагер А. С., Вальд-Перлов В. М., Лавннно-пролётные диоды и их применение в технике СВЧ, М., 1968.

В. М. Вальд-Перлов.

Лавинно-пролётный диод

Лави́нно-пролётный дио́д (ЛПД, IMPATT-диод) — диод, основанный на лавинном умножении носителей заряда. Лавинно-пролётные диоды применяются в основном для генерации колебаний в диапазоне СВЧ.

https://ru.wikipedia.org/wiki/Лавинно-пролётный_диод

Полупроводниковый диод

Полупроводнико́вый диод — полупроводниковый прибор, в широком смысле — электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода). В более узком смысле — полупроводниковый прибор, во внутренней структуре которого сформирован один p-n-переход.

https://ru.wikipedia.org/wiki/Полупроводниковый_диод

Wikipédia

Лавинно-пролётный диод

Лави́нно-пролётный дио́д (ЛПД, IMPATT-диод) — диод, основанный на лавинном умножении носителей заряда. Лавинно-пролётные диоды применяются в основном для генерации колебаний в диапазоне СВЧ. Процессы, происходящие в полупроводниковой структуре диода, ведут к тому, что активная составляющая комплексного сопротивления на малом переменном сигнале в определённом диапазоне частот отрицательна. На вольт-амперной характеристике лавинно-пролётного диода, в отличие от туннельного диода, отсутствует участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Рабочей для лавинно-пролётного диода является область лавинного пробоя.

Идея, лежащая в основе работы лавинно-пролётного диода, сформулирована в 1958 году У. Т. Ридом (W. Т. Read). Эффект генерации колебаний при лавинном пробое обнаружен в 1959 году А. С. Тагером, А. И. Мельниковым и другими (НПП «Исток», г. Фрязино Московской области). Первый лавинно-пролётный диод был разработан в лаборатории СВЧ-диодов НИИ «Пульсар» под руководством В. М. Вальд-Перлова.

https://ru.wikipedia.org/wiki/Лавинно-пролётный диод

O que é Лав<font color="red">и</font>нно-пролётный полупроводник<font color="red">о</font>вый ди<fon